하이닉스반도체는 4일 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.

또 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM(애러체크기기)도 개발을 완료했다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격이다.

하이닉스는 업계 선두수준의 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인함으로써 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다.

하이닉스는 차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.